Фильтры
Фильтры
Дискретные продукты полупроводника
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
2Н7002БК,215 |
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
RE1C002UNTCL |
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
|
Полупроводники Rohm
|
|
|
|
|
|
SCT3030KLGC11 |
SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
|
Полупроводники Rohm
|
|
|
|
|
|
IRFR7440TRPBF |
MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
SUD19P06-60-GE3 |
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
СИР426ДП-Т1-GE3 |
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
НДТ452AP |
MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
SIS434DN-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
SI7655ADN-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
SI4425DDY-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
SI7149ADP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
SI2343DS-T1-E3 |
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
ДМП6350С-7 |
MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
ДМП3056ЛДМ-7 |
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
NVR5198NLT1G |
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
SI1308EDL-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
SI2304DDS-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
NTR4101PT1G |
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
RU1J002YNTCL |
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
|
Полупроводники Rohm
|
|
|
|
|
|
2N7002-7F |
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
JANTX1N6622US |
DIODE GEN PURP 660V 2A D-5A
|
Технология микрочипов
|
|
|
|
|
|
JANTX1N5623US |
DIODE GEN PURP 1KV 1A D-5A
|
Технология микрочипов
|
|
|
|
|
|
JANTX1N5420 |
DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL
|
Технология микрочипов
|
|
|
|
|
|
JANTX1N5615US |
DIODE GEN PURP 200V 1A A SQ-MELF
|
Технология микрочипов
|
|
|
|
|
|
JANTX1N5417 |
Диод GEN PURP 200V 3A аксиальный
|
Технология микрочипов
|
|
|
|
|
|
JANTX1N6642US |
DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D
|
Технология микрочипов
|
|
|
|
|
|
ВС-60ЭПФ04-М3 |
DIODE GP 400V 60A TO247AC
|
Vishay General Semiconductor - Диодный отдел
|
|
|
|
|
|
РУРГ8060 |
DIODE GEN PURP 600V 80A TO247-2
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
РУРГ80100 |
DIODE GEN PURP 1KV 80A TO247-2
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
РХРГ5060 |
Диод GEN PURP 600V 50A TO247-2
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
МБРБ40250ТГ |
DIODE SCHOTTKY 250V 40A D2PAK
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
РХРП3060 |
DIODE GEN PURP 600V 30A TO220-2L
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
РХРП30120 |
Диод GP 1.2KV 30A TO220-2L
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
LXA15T600 |
Диод GEN PURP 600V 15A до 220AC
|
Интеграция силы
|
|
|
|
|
|
РХРП8120 |
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
БЗД27С24П |
SUB SMA, 1000MW, 6%, ZENER DIODE
|
Тайвань Полупроводник Корпорация
|
|
|
|
|
|
CA3046 |
CA3046 - GENERAL PURPOSE NPN TRA
|
Рочестер Электроникс, ООО
|
|
|
|
|
|
БАС716 |
DIODE, LOW LEAKAGE, 200MA, 75V,
|
Полупроводник Good-Ark
|
|
|
|
|
|
ДЕ150-501Н04А |
RF MOSFET N-CHANNEL DE150
|
ИКСИС-РФ
|
|
|
|
|
|
ДЕ475-102Н21А |
RF MOSFET N-CHANNEL DE475
|
ИКСИС-РФ
|
|
|
|
|
|
ДЕ375-102Н12А |
RF MOSFET N-CHANNEL DE375
|
ИКСИС-РФ
|
|
|
|
|
|
ДЕ275-102Н06А |
RF MOSFET N-CHANNEL DE275
|
ИКСИС-РФ
|
|
|
|
|
|
ИКСТА4Н150ХВ |
MOSFET N-CH 1500V 4A TO263
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IXFH6N120P |
MOSFET N-CH 1200V 6A до 247AD
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IXFN420N10T |
MOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IXFH50N85X |
MOSFET N-CH 850V 50A TO247
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IXTQ22N50P |
MOSFET N-CH 500V 22A TO3P
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IXTQ76N25T |
MOSFET N-CH 250V 76A TO3P
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IXFN82N60P |
MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
|
ИКСИС
|
|
|