Фильтры
Фильтры
Дискретные продукты полупроводника
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
CPC3703CTR |
MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3
|
Отдел интегральных схем IXYS
|
|
|
|
|
|
SIA427DJ-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
ИКСТА76П10Т |
MOSFET P-CH 100V 76A TO263
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IXTP76P10T |
MOSFET P-CH 100V 76A TO220AB
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
SI2308BDS-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
IXFA22N65X2 |
MOSFET N-CH 650V 22A TO263
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
СТН2НФ10 |
MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223
|
STMикроэлектроника
|
|
|
|
|
|
IRFL9014TRPBF |
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
TP0610K-T1-E3 |
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
ПСМН075-100МСЕКС |
MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
SI4431BDY-T1-E3 |
MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
ДМП6023LSS-13 |
MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
CPC5602CTR |
MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223
|
Отдел интегральных схем IXYS
|
|
|
|
|
|
SQS401EN-T1_BE3 |
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
СУМ110П04-05-Е3 |
MOSFET P-CH 40V 110A TO263
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
IXTY01N100 |
MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
ПМВ30УН2Р |
MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
SI7617DN-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
DMP3098LQ-7 |
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
SI2307BDS-T1-E3 |
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
СТБ120НФ10Т4 |
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
|
STMикроэлектроника
|
|
|
|
|
|
СУМ110Н10-09-Е3 |
MOSFET N-CH 100V 110A TO263
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
FDMS86101DC |
MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
ZXMP10A17E6TA |
MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
SI2318DS-T1-E3 |
MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
RUR040N02TL |
MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
|
Полупроводники Rohm
|
|
|
|
|
|
SI2302CDS-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
БСС84АК,215 |
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
PMV65XPEAR |
MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
SI1416EDH-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
PSMN0R9-30YLDX |
MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
БШ205Г2Р |
MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
SI2309CDS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
SI2301CDS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
PJA3441-AU_R1_000A1 |
SOT-23, MOSFET
|
Панджит Интернешнл Инк.
|
|
|
|
|
|
SIR882ADP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
SI2347DS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
SI2369DS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
ПМВ45ЕН2Р |
MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
БСС138ПВ,115 |
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
БШ103,215 |
MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
2N7002ET1G |
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
БСС138-7-Ф |
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
ДМП3098Л-7 |
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
SCT3030ARC14 |
SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L
|
Полупроводники Rohm
|
|
|
|
|
|
Si1012CR-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 20V SC75A
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
SCT3160KLGC11 |
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
|
Полупроводники Rohm
|
|
|
|
|
|
SI7415DN-T1-E3 |
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
SSM3J332R, LF |
MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
|
Toshiba Semiconductor и хранилища
|
|
|
|
|
|
2N7002K-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
|
Вишай Силиконикс
|
|
|