Отправить сообщение

SI4431BDY-T1-E3

производитель:
Вишай Силиконикс
Описание:
MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
20 nC @ 5 V
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (макс.):
± 20 В
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Пакет изделий поставщика:
8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
30mOhm @ 7.5A, 10V
Мфр:
Вишай Силиконикс
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max):
1.5W (Ta)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
5.7A (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI4431
Введение
P-Channel 30 V 5.7A (Ta) 1.5W (Ta) Поверхностная установка 8-SOIC
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: