Отправить сообщение

SI7135DP-T1-GE3

производитель:
Вишай Силиконикс
Описание:
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет / чемодан:
ПауэрПАК® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
250 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.9mOhm @ 20A, 10В
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
8650 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
60A (Tc)
Power Dissipation (Max):
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI7135
Введение
P-Channel 30 V 60A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) На поверхности установка PowerPAK® SO-8
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: