Отправить сообщение

SI4058DY-T1-GE3

производитель:
Вишай Силиконикс
Описание:
MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.8V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
18 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
26mOhm @ 10A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
690 pF @ 50 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
8-SOIC
Мфр:
Вишай Силиконикс
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
10.3A (Tc)
Диссипация силы (Макс):
5.6W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Номер базовой продукции:
SI4058
Введение
N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 5.6W (Tc) Поверхностная установка 8-SOIC
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: