Отправить сообщение

SQJ431AEP-T1_GE3

производитель:
Вишай Силиконикс
Описание:
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакет / чемодан:
ПауэрПАК® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
85 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
305mOhm @ 3,8A, 10В
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
6V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3700 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
9.4A (Tc)
Power Dissipation (Max):
68W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SQJ431
Введение
P-Channel 200 V 9.4A (Tc) 68W (Tc) Поверхностная установка PowerPAK® SO-8
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: