Фильтры
Фильтры
Транзисторы
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
ФДП3632 |
MOSFET 100V 80a.9 Омм/VGS=1В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
ИПА60R380E6 |
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
IXFR64N60Q3 |
MOSFET класса Q3 HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
NDS9948 |
MOSFET двойной PCh PowerTrench
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQB30N06LTM |
MOSFET 60V N-Channel QFET логический уровень
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SI2312BDS-T1-E3 |
MOSFET N-канал 20V 3.9A
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
Si1022R-T1-GE3 |
MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25охм @ 10В
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
BSS138K |
MOSFET 50V NCh Мод повышения уровня логики FET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
МОСФЕТ МОЛОЙ СИГНАЛ МОСФЕТ 6.8В
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
DMG1012T-7 |
MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
БСК039Н06НС |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
SUM110P08-11L-E3 |
MOSFET 80V 110A 375W
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET заранее C-серия
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
IXTT20N50D |
MOSFET 20 ампер 500В 0,33 Rds
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IXFK200N10P |
MOSFET 200 ампер 100В 0,0075 Rds
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IXTQ50N25T |
MOSFET 50 ампер 250 В
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
DMG2302UK-7 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8В-24В
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
IXFP34N65X2 |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-класс
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
ИПД75Н04С4-06 |
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
IXFH36N60P |
MOSFET 600V 36A
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
FQB34P10TM |
MOSFET 100V P-канал QFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQP14N30 |
MOSFET 300V N-канальный QFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
БСК011Н03ЛСИ |
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
FQPF2N60C |
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SQJ974EP-T1_GE3 |
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Квалифицированный
|
Силиконикс / Вишай
|
|
|
|
|
|
NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
IPW65R150CFD |
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
ИПП60Р099С6 |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
IPW65R110CFD |
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
FDPF10N60NZ |
MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
IXFK100N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/100A Ультрасоединение X2
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IPL65R230C7 |
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
SIR871DP-T1-GE3 |
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs
|
Силиконикс / Вишай
|
|
|
|
|
|
ДМП2008УФГ-7 |
MOSFET 20V P-CH MOSFET
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
IXTT110N10L2 |
MOSFET Линейный расширенный FBSOA мощность MOSFET
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
SIHG73N60E-GE3 |
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
SI4559ADY-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
IXFK44N80P |
MOSFET 44 ампер 800 В
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
BSC0906NS |
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
ИРФПС37Н50АПБФ |
MOSFET N-Chan 500В 36 ампер
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
БСЗ097Н10НС5 |
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
БСК010Н04ЛСИ |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
ФДМС3500 |
MOSFET 75V N-канал PowerTrench
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDMS8460 |
MOSFET 40V N-канальный силовой транш
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDMS86200 |
MOSFET 150V N-канал PowerTrench MOSFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQP46N15 |
MOSFET 150V N-канальный QFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDS86141 |
MOSFET 100В N-канальный MOSFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SI4946BEY-T1-E3 |
MOSFET 60V 6,5A 3,7W
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
СИР462ДП-Т1-GE3 |
MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V
|
Вишай полупроводники
|
|
|