NTMFS5C430NLT1G
производитель:
ОНСЕМИ
Описание:
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
Категория:
Полупроводники
Спецификации
Полярность транзистора:
N-канал
Технологии:
Si
Id - непрерывное течение стока:
200 А
Стил монтажа:
SMD/SMT
Минимальная рабочая температура:
- 55 c
Пакет / чемодан:
SO-FL-8
Максимальная рабочая температура:
+ 175 c
Режим канала:
Повышение
Vds - пробивное напряжение Сток-источника:
40 В
упаковка:
Катушка
Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника:
1.2 В
Категория продукции:
MOSFET
Rds на - сопротивлении Сток-источника:
2,2 mOhms
Количество каналов:
1 канал
Vgs - напряжение тока Ворот-источника:
20 В
Qg - обязанность ворот:
70 н.э.
Производитель:
на полу
Введение
NTMFS5C430NLT1G, от onsemi, это MOSFET. то, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых деталей.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
NTMFS4C022NT1G
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
2N7002WT1G
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
FQP13N50C
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
NTF2955T1G
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
FDS3992
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
ATP106-TL-H
MOSFET SWITCHING DEVICE
BVSS123LT1G
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
FDS6576
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
FQP50N06
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
|
|
|
|
2N7002WT1G |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
|
|
|
|
FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
|
|
|
|
NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
|
|
|
|
FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
|
|
|
|
FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
|
|
|
|
ATP106-TL-H |
MOSFET SWITCHING DEVICE
|
|
|
|
BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
|
|
|
|
FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
|
|
|
|
FQP50N06 |
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: