IXFR64N60Q3
производитель:
ИКСИС
Описание:
MOSFET класса Q3 HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
Категория:
Полупроводники
Спецификации
Полярность транзистора:
N-канал
Технологии:
Si
Категория продукции:
MOSFET
Стил монтажа:
Через дыру
Фирменное название:
ГиперФЕТ
Пакет / чемодан:
ТО-247-3
Vds - пробивное напряжение Сток-источника:
600 В
упаковка:
Трубка
Id - непрерывное течение стока:
42 a
Rds на - сопротивлении Сток-источника:
104 mOhms
Количество каналов:
1 канал
Vgs - напряжение тока Ворот-источника:
30 В
Qg - обязанность ворот:
190 г. н.э.
Производитель:
IXYS
Введение
IXFR64N60Q3, от IXYS, это MOSFET. то, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
IXTT20N50D
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
IXFK200N10P
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
IXTQ50N25T
MOSFET 50Amps 250V
IXFP34N65X2
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
IXFH36N60P
MOSFET 600V 36A
IXFK100N65X2
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
IXTT110N10L2
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
IXFK44N80P
MOSFET 44 Amps 800V
IXFN520N075T2
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXFH23N80Q
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
IXTT20N50D |
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
|
|
|
|
IXFK200N10P |
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
|
|
|
|
IXTQ50N25T |
MOSFET 50Amps 250V
|
|
|
|
IXFP34N65X2 |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
|
|
|
|
IXFH36N60P |
MOSFET 600V 36A
|
|
|
|
IXFK100N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
|
|
|
|
IXTT110N10L2 |
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
|
|
|
|
IXFK44N80P |
MOSFET 44 Amps 800V
|
|
|
|
IXFN520N075T2 |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
|
|
|
IXFH23N80Q |
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: