Спецификации
Полярность транзистора:
N-канал
Технологии:
Si
Id - непрерывное течение стока:
50 А
Стил монтажа:
Через дыру
Минимальная рабочая температура:
- 55 c
Пакет / чемодан:
TO-3P-3
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
Режим канала:
Повышение
Vds - пробивное напряжение Сток-источника:
250 В
упаковка:
Трубка
Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника:
5 В
Категория продукции:
MOSFET
Rds на - сопротивлении Сток-источника:
60 mOhms
Количество каналов:
1 канал
Vgs - напряжение тока Ворот-источника:
30 В
Qg - обязанность ворот:
78 н.э.
Производитель:
IXYS
Введение
IXTQ50N25T от IXYS, это MOSFET. то, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ

IXFR64N60Q3
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A

IXTT20N50D
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds

IXFK200N10P
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds

IXFP34N65X2
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class

IXFH36N60P
MOSFET 600V 36A

IXFK100N65X2
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2

IXTT110N10L2
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET

IXFK44N80P
MOSFET 44 Amps 800V

IXFN520N075T2
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

IXFH23N80Q
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
Изображение | часть # | Описание | |
---|---|---|---|
![]() |
IXFR64N60Q3 |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
|
|
![]() |
IXTT20N50D |
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
|
|
![]() |
IXFK200N10P |
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
|
|
![]() |
IXFP34N65X2 |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
|
|
![]() |
IXFH36N60P |
MOSFET 600V 36A
|
|
![]() |
IXFK100N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
|
|
![]() |
IXTT110N10L2 |
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
|
|
![]() |
IXFK44N80P |
MOSFET 44 Amps 800V
|
|
![]() |
IXFN520N075T2 |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
|
![]() |
IXFH23N80Q |
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: