Фильтры
Фильтры
Транзисторы
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
ИПТ004N03L |
MOSFET MV POWER MOS
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
SI7997DP-T1-GE3 |
MOSFET -30V 5,5mOhm@10V 60A P-Ch G-III
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
SIR870ADP-T1-GE3 |
MOSFET 100V 6,6mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
ФДД8874 |
MOSFET 30V N-канал PowerTrench
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
ИРФ520ПБФ |
MOSFET N-Chan 100В 9,2 ампер
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
БСК097Н06НС |
MOSFET N-Ch 60V 46A TDSON-8
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
SI4410BDY-T1-E3 |
MOSFET 30В 10А 2,5 Вт
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
SI1869DH-T1-E3 |
MOSFET загрузочный переключатель 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
BSS84,215 |
MOSFET P-CH DMOS 50V 130MA
|
Нексперия
|
|
|
|
|
|
IPW60R041C6 |
MOSFET N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
BSG0811ND |
МОСФЕТ ДИФЕРЕНЦИРОВАННЫЕ МОСФЕТы
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
Ipw65r045c7 |
MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
FDS4435BZ |
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
FDP20N50 |
MOSFET N-CH 500V 20A до 220
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
IRFP4868PBF |
MOSFET N-CH 300V 70A до 247AC
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
2SA1244-Y |
Силиконовые энергетические транзисторы PNP
|
Тошиба
|
|
|
|
|
|
SPP20N60CFD |
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3 CoolMOS CFD
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
СТБ35Н65М5 |
Мосфетная мощность MOSFET N-CH 650V
|
STMикроэлектроника
|
|
|
|
|
|
IXFN44N60 |
MOSFET 44 ампер 600 В
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IXFN180N20 |
MOSFET 200V 180A
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
SIR610DP-T1-RE3 |
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Type Rds ((on)) 24 мхм
|
Силиконикс / Вишай
|
|
|
|
|
|
IXFP14N60P |
MOSFET 600V 14A
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
FQA24N50 |
MOSFET 500V N-канальный QFET
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
BSS84-7-F |
MOSFET -50V 250 мВт
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
SIS862DN-T1-GE3 |
MOSFET 60V 8,5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
2N7002DW |
Эффект поля режима усиления N-Chan MOSFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SI1553CDL-T1-GE3 |
MOSFET 20В 0,7/-0.5
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
FDP075N15A_F102 |
MOSFET 150V NChan PwrTrench
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NCV8402ASTT1G |
MOSFET 42V 2.0A
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
АПТ14М100Б |
MOSFET мощность MOSFET - MOS8
|
Микросеми
|
|
|
|
|
|
ДМН61Д9УВ-7 |
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1,2A
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
NX7002BKSX |
MOSFET 60V, двуканальный N-канальный траншный MOSFET
|
Нексперия
|
|
|
|
|
|
IPW65R150CFDA |
MOSFET N-Ch 650V 22.4A TO247-3
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
IXFH30N60P |
MOSFET 600V 30A
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IXTH20P50P |
MOSFET -20,0 ампер -500В 0,450 Rds
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
ИКСТА96P085T |
MOSFET -96 Ампер -85В 0.013 Rds
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
NX3008NBKS,115 |
MOSFET 30V 350 MA ДВОЙНОГО N-CH ТРЕНЧ MOSFET
|
Нексперия
|
|
|
|
|
|
ФДПФ20Н50 |
MOSFET 500V N-CH MOSFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQA28N15 |
MOSFET 150V N-канальный QFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SI4288DY-T1-GE3 |
MOSFET 40 Вольт 9,2 Ампер 3,1 Ватт
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
FQP12P10 |
MOSFET 100V P-канал QFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SI4401DDY-T1-GE3 |
MOSFET 40V 16.1A P-CH MOSFET
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
FDS6912A |
MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30 В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N7002KT1G |
MOSFET NFET SOT23 60V 380mA 2,5 Омм
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
NX7002AK |
MOSFET 60 V, одно N-chan Trench MOSFET
|
Нексперия
|
|
|
|
|
|
SIZ918DT-T1-GE3 |
MOSFET 30V 16A/28A 29/100W 12mohm / 3.7mohm@10V
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
SI7998DP-T1-GE3 |
MOSFET 30V 25/30A 93/53mohm @ 10V
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
ИРФБФ20ПБФ |
MOSFET N-Chan 900V 1,7 ампера
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
SI1034X-T1-GE3 |
MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 5,0 Ом @ 4,5В
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
IPA60R190P6 |
MOSFET высокая мощность_PRC/PRFRM
|
Инфинеон Технологии
|
|
|