SIR610DP-T1-RE3
производитель:
Силиконикс / Вишай
Описание:
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Type Rds ((on)) 24 мхм
Категория:
Полупроводники
Спецификации
Полярность транзистора:
N-канал
Категория продукции:
MOSFET
Стил монтажа:
SMD/SMT
Фирменное название:
ThunderFET
Минимальная рабочая температура:
- 55 c
Пакет / чемодан:
PowerPAK-SO-8
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
Vds - пробивное напряжение Сток-источника:
200 В
упаковка:
Катушка
Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника:
4 В
Id - непрерывное течение стока:
35.4 А
Rds на - сопротивлении Сток-источника:
23.9 мОмм
Количество каналов:
1 канал
Vgs - напряжение тока Ворот-источника:
20 В
Qg - обязанность ворот:
20 nC
Производитель:
Силиконикс / Вишай
Введение
SIR610DP-T1-RE3, от Siliconix / Vishay, это MOSFET. то, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
Related Products
SQJ974EP-T1_GE3
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SIR871DP-T1-GE3
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs
SUM70060E-GE3
MOSFET 100V Vds 131A Id 0.0056Vgs Rds(On)
SQJ479EP-T1_GE3
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SIR680DP-T1-RE3
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8
SQ2361ES-T1_GE3
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SUM10250E-GE3
MOSFET N Ch 250Vds 20Vgs
SI7972DP-T1-GE3
MOSFET Dual N-Ch 30V Vds 7.1nC Qg Typ
СУМ90П10-19Л-Е3
MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
SQJ457EP-T1_GE3
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
SQJ974EP-T1_GE3 |
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SIR871DP-T1-GE3 |
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs
|
|
|
|
SUM70060E-GE3 |
MOSFET 100V Vds 131A Id 0.0056Vgs Rds(On)
|
|
|
|
SQJ479EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SIR680DP-T1-RE3 |
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8
|
|
|
|
SQ2361ES-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SUM10250E-GE3 |
MOSFET N Ch 250Vds 20Vgs
|
|
|
|
SI7972DP-T1-GE3 |
MOSFET Dual N-Ch 30V Vds 7.1nC Qg Typ
|
|
|
|
СУМ90П10-19Л-Е3 |
MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
|
|
|
|
SQJ457EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: