ПМВ30УН2Р
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
900mV @ 250µA
Операционная температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:
11 nC @ 4,5 В
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Тип FET:
N-канал
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.2V, 4.5V
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Режущая лента (КТ)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±12V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
655 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-236AB
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
4.2A (Ta)
Power Dissipation (Max):
490mW (Ta), 5W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
PMV30
Введение
N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 490mW (Ta), 5W (Tc) Поверхностная установка TO-236AB
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ

БУК7Y22-100EX
MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56

PMV27UPEAR
MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB

ПСМН8Р7-100YSFX
PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK

БУК7Y7R6-40EX
MOSFET N-CH 40V 79A LFPAK56

BUK9M120-100EX
MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK33

ПСМН3Р7-100БСЭЖ
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

ПСМН2Р0-30ПЛ,127
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB

БУК7Y7R0-40HX
MOSFET N-CH 40V 68A LFPAK56

БУК7М10-40ЕХ
MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK33

БУК9Y65-100Е,115
MOSFET N-CH 100V 19A LFPAK56
Изображение | часть # | Описание | |
---|---|---|---|
![]() |
БУК7Y22-100EX |
MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
|
|
![]() |
PMV27UPEAR |
MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
|
|
![]() |
ПСМН8Р7-100YSFX |
PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
|
|
![]() |
БУК7Y7R6-40EX |
MOSFET N-CH 40V 79A LFPAK56
|
|
![]() |
BUK9M120-100EX |
MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK33
|
|
![]() |
ПСМН3Р7-100БСЭЖ |
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
|
|
![]() |
ПСМН2Р0-30ПЛ,127 |
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
|
|
![]() |
БУК7Y7R0-40HX |
MOSFET N-CH 40V 68A LFPAK56
|
|
![]() |
БУК7М10-40ЕХ |
MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK33
|
|
![]() |
БУК9Y65-100Е,115 |
MOSFET N-CH 100V 19A LFPAK56
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: