Отправить сообщение

БУК7Y7R0-40HX

производитель:
Нексперия США Инк.
Описание:
MOSFET N-CH 40V 68A LFPAK56
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.6V @ 1mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакет / чемодан:
SC-100, SOT-669
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
26 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
7mOhm @ 15A, 10В
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1630 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101
Supplier Device Package:
LFPAK56, Power-SO8
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
68A (Ta)
Power Dissipation (Max):
64W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
BUK7Y7
Введение
N-Channel 40 V 68A (Ta) 64W (Ta) На поверхности установка LFPAK56, мощность-SO8
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: