Отправить сообщение

SI2301BDS-T1-E3

производитель:
Вишай Силиконикс
Описание:
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
950mV @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
10 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
100mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET Type:
P-Channel
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено):
2.5V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Напряжение отхода к источнику (Vdss):
20 В
Vgs (Max):
±8V
Статус продукта:
Активный
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
375 pF @ 6 V
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2.2A (Ta)
Power Dissipation (Max):
700mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI2301
Введение
P-Channel 20 V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Наземная установка SOT-23-3 (TO-236)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: