NTR4101PT1G
производитель:
ОНСЕМИ
Описание:
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.2V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
8.5 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
85mOhm @ 1.6A, 4.5V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.8V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±8V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
675 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Пакет изделий поставщика:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
onsemi
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C:
1.8A (животики)
Power Dissipation (Max):
420mW (Ta)
Технологии:
MOSFET (металлическая окись)
Base Product Number:
NTR4101
Введение
P-Channel 20 V 1.8A (Ta) 420mW (Ta) Поверхностная установка SOT-23-3 (TO-236)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: