JANTX1N5420
производитель:
Технология микрочипов
Описание:
DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products
Diodes
Rectifiers
Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
1 µA @ 600 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.5 V @ 9 A
Package:
Bulk
Series:
Military, MIL-PRF-19500/411
Capacitance @ Vr, F:
-
Пакет изделий поставщика:
B, осевая
Reverse Recovery Time (trr):
400 ns
Мфр:
Технология микрочипов
Technology:
Standard
Операционная температура - соединение:
-65°C ~ 175°C
Package / Case:
B, Axial
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
600 В
Current - Average Rectified (Io):
3A
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Base Product Number:
1N5420
Введение
Диод 600 V 3A через отверстие B, осевой
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: