Отправить сообщение

SI1308EDL-T1-GE3

производитель:
Вишай Силиконикс
Описание:
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет / чемодан:
SC-70, SOT-323
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
4.1 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
132mOhm @ 1.4A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±12V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
105 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
SC-70-3
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1.4A (Tc)
Power Dissipation (Max):
400mW (Ta), 500mW (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI1308
Введение
N-Channel 30 V 1.4A (Tc) 400mW (Ta), 500mW (Tc) Поверхностная установка SC-70-3
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: