Фильтры
Фильтры
Дискретные продукты полупроводника
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7002KW_R1_00001 |
SOT-323, MOSFET
|
Панджит Интернешнл Инк.
|
|
|
|
|
|
IXFH34N50P3 |
MOSFET N-CH 500V 34A TO247AD
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IXFP34N65X2M |
MOSFET N-CH 650V 34A TO220
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
ИКСТА76N25T |
MOSFET N-CH 250V 76A TO263
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
NP180N04TUK-E1-AY |
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
NTMFS5C628NLT1G |
MOSFET N-CH 60V 5DFN
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
ФДБ2710 |
MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
ФКПФ11Н60НТ |
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
ФДМС5672 |
MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
ФКПФ13Н60НТ |
MOSFET N-CH 600V 13A TO220F
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
БУК7J1R4-40HX |
MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
IXFH50N50P3 |
MOSFET N-CH 500V 50A TO247AD
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
ФДМС86550 |
MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
SI7463DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
ФДП39Н20 |
MOSFET N-CH 200V 39A TO220-3
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
SUM110P06-07L-E3 |
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
SQD50P06-15L_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
ФДМС86181 |
MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
ФДМС86300 |
MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
FDMC8462 |
MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
ДМТХ8003СПС-13 |
MOSFET N-CH 80V 100A PWRDI5060-8
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
РД3П130СПТЛ1 |
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
|
Полупроводники Rohm
|
|
|
|
|
|
СТД4НК60ЗТ4 |
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
|
STMикроэлектроника
|
|
|
|
|
|
FDA18N50 |
MOSFET N-CH 500V 19A TO3PN
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
СИР800ДП-Т1-GE3 |
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
ФДП55Н06 |
MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
РД3Х200СНТЛ1 |
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
|
Полупроводники Rohm
|
|
|
|
|
|
ИРФ530А |
MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
ДМТХ4004SPSQ-13 |
MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
СИР158ДП-Т1-GE3 |
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
НДТ451АН |
MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
SIR876ADP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
SI7119DN-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
SI2337DS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
RSR025N05TL |
NCH 45V 2.5A MOSFET для малого сигнала
|
Полупроводники Rohm
|
|
|
|
|
|
IRFR9220TRPBF |
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
ФДМС7672 |
MOSFET N-CH 30V 19A/28A 8PQFN
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
ФДТ86246 |
MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
FDS86242 |
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
БУК7М8Р0-40ЕХ |
MOSFET N-CH 40V 69A LFPAK33
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
SQ7415CENW-T1_GE3 |
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S)
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
BUK9M10-30EX |
MOSFET N-CH 30V 54A LFPAK33
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
РД3П050СНТЛ1 |
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
|
Полупроводники Rohm
|
|
|
|
|
|
SIRA12DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
ДМТ10Х009СПС-13 |
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
FQD19N10TM |
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
RQ3E100ATTB |
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
|
Полупроводники Rohm
|
|
|
|
|
|
БУК7Y8R7-60EX |
MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK56
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
СИБ452ДК-Т1-GE3 |
MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
SISS23DN-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
|
Вишай Силиконикс
|
|
|