Отправить сообщение

ФДМС86550

производитель:
ОНСЕМИ
Описание:
MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет / чемодан:
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
154 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.65mOhm @ 32A, 10В
FET Type:
N-Channel
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено):
8V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Напряжение отхода к источнику (Vdss):
60 В
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
11530 pF @ 30 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
PowerTrench®
Supplier Device Package:
8-PQFN (5x6)
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
32A (Ta), 155A (Tc)
Power Dissipation (Max):
2.7W (Ta), 156W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDMS86
Введение
N-Channel 60 V 32A (Ta), 155A (Tc) 2,7W (Ta), 156W (Tc) На поверхности установка 8-PQFN (5x6)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: