ИРФ530А
производитель:
ОНСЕМИ
Описание:
MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
36 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
110mOhm @ 7A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Статус продукта:
Старый
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
790 pF @ 25 V
Тип установки:
Через дыру
Series:
-
Пакет изделий поставщика:
TO-220-3
Mfr:
onsemi
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C:
14A (Tc)
Power Dissipation (Max):
55W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRF530
Введение
Н-канал 100 В 14 А (Тц) 55 Вт (Тц) через отверстие TO-220-3
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: