Отправить сообщение

SI2333DDS-T1-GE3

производитель:
Вишай Силиконикс
Описание:
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
35 nC @ 8 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
28mOhm @ 5A, 4.5V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.5V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
12 V
Vgs (Max):
±8V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1275 pF @ 6 V
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Series:
TrenchFET®
Пакет изделий поставщика:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C:
6A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Технологии:
MOSFET (металлическая окись)
Base Product Number:
SI2333
Введение
P-Channel 12 V 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Поверхностная установка SOT-23-3 (TO-236)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: