Отправить сообщение

SI7611DN-T1-GE3

производитель:
Вишай Силиконикс
Описание:
MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-50°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
62 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
25mOhm @ 9.3A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Vgs (макс.):
± 20 В
Product Status:
Active
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:
1980 pF @ 20 В
Mounting Type:
Surface Mount
Серия:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® 1212-8
Мфр:
Вишай Силиконикс
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
18A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.7W (Ta), 39W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI7611
Введение
P-Channel 40 V 18A (Tc) 3,7W (Ta), 39W (Tc) На поверхности установка PowerPAK® 1212-8
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: