Отправить сообщение

SI2301CDS-T1-E3

производитель:
Вишай Силиконикс
Описание:
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
10 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
112mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.5V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±8V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
405 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Пакет изделий поставщика:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C:
3.1A (Tc)
Power Dissipation (Max):
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Технологии:
MOSFET (металлическая окись)
Base Product Number:
SI2301
Введение
P-Channel 20 V 3.1A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Поверхностная установка SOT-23-3 (TO-236)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: