Отправить сообщение

ИРФ640ПБФ

производитель:
Вишай Силиконикс
Описание:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
70 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
180mOhm @ 11A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:
1300 pF @ 25 v
Mounting Type:
Through Hole
Серия:
-
Supplier Device Package:
TO-220AB
Мфр:
Вишай Силиконикс
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
18A (Tc)
Диссипация силы (Макс):
125W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRF640
Введение
N-канал 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) через отверстие TO-220AB
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: