Отправить сообщение

SIA445EDJ-T1-GE3

производитель:
Вишай Силиконикс
Описание:
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.2V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SC-70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
72 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Тип FET:
P-канал
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.5V, 4.5V
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±12V
Статус продукта:
Активный
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2130 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SC-70-6
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
12A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SIA445
Введение
P-Channel 20 V 12A (Tc) 3,5 W (Ta), 19 W (Tc) На поверхности установка PowerPAK® SC-70-6
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: