Отправить сообщение

IRF830APBF

производитель:
Вишай Силиконикс
Описание:
MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
24 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.4Ohm @ 3A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
500 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
620 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-220AB
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
5A (Tc)
Power Dissipation (Max):
74W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRF830
Введение
N-Channel 500 V 5A (Tc) 74W (Tc) через отверстие TO-220AB
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: