Отправить сообщение

SI4463BDY-T1-E3

производитель:
Вишай Силиконикс
Описание:
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
56 nC @ 4.5 V
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (Max):
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.4V @ 250µA
Supplier Device Package:
8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
11 мОм @ 13,7 А, 10 В
Mfr:
Vishay Siliconix
Операционная температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
P-Channel
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено):
2.5V, 10V
Power Dissipation (Max):
1.5W (Ta)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
9.8A (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI4463
Введение
P-Channel 20 V 9.8A (Ta) 1.5W (Ta) Поверхностная установка 8-SOIC
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: