Отправить сообщение

SI3456DDV-T1-GE3

производитель:
Вишай Силиконикс
Описание:
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
9 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
40mOhm @ 5A, 10V
FET Type:
N-Channel
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено):
4.5В, 10В
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Напряжение отхода к источнику (Vdss):
30 В
Vgs (Max):
±20V
Статус продукта:
Активный
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
325 pF @ 15 V
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
6-TSOP
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
6.3A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI3456
Введение
N-Channel 30 V 6.3A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Поверхностная установка 6-TSOP
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: