Отправить сообщение

IRFRC20TRPBF

производитель:
Вишай Силиконикс
Описание:
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
18 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.4Ohm @ 1.2A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
600 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
350 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
D-Pak
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2A (Tc)
Power Dissipation (Max):
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRFRC20
Введение
N-Channel 600 V 2A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Поверхностная установка D-Pak
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: