Отправить сообщение

SI3459BDV-T1-GE3

производитель:
Вишай Силиконикс
Описание:
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
12 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
216mOhm @ 2.2A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (макс.):
± 20 В
Product Status:
Active
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:
350 pF @ 30 В
Mounting Type:
Surface Mount
Серия:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
6-TSOP
Мфр:
Вишай Силиконикс
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2.9A (Tc)
Power Dissipation (Max):
2W (Ta), 3.3W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI3459
Введение
P-Channel 60 V 2,9A (Tc) 2W (Ta), 3,3W (Tc) Поверхностная установка 6-TSOP
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: