SI3458BDV-T1-GE3

производитель:
Вишай Силиконикс
Описание:
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Операционная температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет / чемодан:
SOT-23-6 тонкий, TSOT-23-6
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:
11 nC @ 10 В
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
100 мОм @ 3,2 А, 10 В
Тип FET:
N-канал
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено):
4.5В, 10В
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Напряжение отхода к источнику (Vdss):
60 В
Vgs (макс.):
± 20 В
Статус продукта:
Активный
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:
350 pF @ 30 В
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Серия:
TrenchFET®
Пакет изделий поставщика:
6-TSOP
Мфр:
Vishay Siliconix
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C:
4.1A (Tc)
Диссипация силы (Макс):
2 Вт (Ta), 3,3 Вт (Tc)
Технологии:
MOSFET (металлическая окись)
Номер базовой продукции:
SI3458
Введение
N-Channel 60 V 4.1A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Поверхностная установка 6-TSOP
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
Изображение часть # Описание
2N7002E-T1-E3

2N7002E-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
SIR872ADP-T1-RE3

SIR872ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
SI7148DP-T1-E3

SI7148DP-T1-E3

MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
SI7157DP-T1-GE3

SI7157DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
ИРФП21Н60ЛПБФ

ИРФП21Н60ЛПБФ

MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
SIR880ADP-T1-GE3

SIR880ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SIR873DP-T1-GE3

SIR873DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
СУД50Н04-8М8П-4GE3

СУД50Н04-8М8П-4GE3

MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
SQSA12CENW-T1_GE3

SQSA12CENW-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
SI4058DY-T1-GE3

SI4058DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
SI2392ADS-T1-GE3

SI2392ADS-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
ИРФС9Н60АТРЛПБФ

ИРФС9Н60АТРЛПБФ

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
SQM120P06-07L_GE3

SQM120P06-07L_GE3

MOSFET P-CH 60V 120A TO263
SQM100P10-19L_GE3

SQM100P10-19L_GE3

MOSFET P-CH 100V 93A TO263
SI7439DP-T1-E3

SI7439DP-T1-E3

MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
ИРФУ420ПБФ

ИРФУ420ПБФ

MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
SI7135DP-T1-GE3

SI7135DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
SIR872ADP-T1-GE3

SIR872ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
SI7456CDP-T1-GE3

SI7456CDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
SIR690DP-T1-GE3

SIR690DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
SQJ431AEP-T1_GE3

SQJ431AEP-T1_GE3

MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
SQJ459EP-T1_GE3

SQJ459EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
SI7463ADP-T1-GE3

SI7463ADP-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
SISS71DN-T1-GE3

SISS71DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
SQJA68EP-T1_GE3

SQJA68EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
SI2328DS-T1-GE3

SI2328DS-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
SI2329DS-T1-GE3

SI2329DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: