Фильтры
Фильтры
MOSFET
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI7216DN-T1-E3 |
MOSFET DUAL N-CH 40V ((D-S)
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
ФКПФ22Н60НТ |
MOSFET 600V N-канальный SupreMOS
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FCH072N60 |
MOSFET SuperFET2 600В быстрая передача
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
IRFPG50PBF |
MOSFET N-Chan 1000В 6,1 ампер
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
FDP61N20 |
MOSFET 200V N-канальный MOSFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQB4N80TM |
MOSFET 800V N-канальный QFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQP12P20 |
MOSFET 200V P-канал QFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDT86102LZ |
MOSFET 100В N-канальный MOSFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQB7P20TM |
MOSFET 200V P-канал QFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQB33N10TM |
MOSFET 100V N-канальный QFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQT4N25TF |
MOSFET 250V однотонный
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SI1024X-T1-GE3 |
MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 700 мкм @ 4,5 В
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
ДМП4051ЛК3-13 |
Мод усиления MOSFET MOSFET 40V P-CHANNEL
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
BSS138BK,215 |
MOSFET N-CH 60 V 360 mA
|
Нексперия
|
|
|
|
|
|
SI7236DP-T1-GE3 |
MOSFET 20V 60A 46W 5.2mAh @ 4.5V
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
IXFX64N50P |
MOSFET 64,0 Ампер 500 В 0,09 Ом Rds
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
SIZ340DT-T1-GE3 |
MOSFET 30V.0095ohm@10V 30A Двойной N-Ch T-FET
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
BSC014N04LSI |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
IPB117N20NFD |
MOSFET N-Ch 200V 84A D2PAK-2
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
SI3590DV-T1-E3 |
MOSFET N&P-CH 30В (D-S)
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
ФДД6Н50ТМ |
MOSFET 30V/16V 9.5/12MO NCH единственный
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
IRFP264PBF |
MOSFET N-Chan 250V 38 ампер
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
SPP20N60C3 |
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
СПБ17Н80С3 |
MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
СУМ90П10-19Л-Е3 |
MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
|
Силиконикс / Вишай
|
|
|
|
|
|
FDPF045N10A |
MOSFET 100В N-канальный MOSFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDMS86150 |
MOSFET PT5 100V / 20V Nch PowerTrench MOSFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SI7489DP-T1-GE3 |
MOSFET 100V 28A 83W 41mohm @ 10V
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
NVD5117PLT4G |
MOSFET 60V T1 PCH DPAK
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
FDMC86520DC |
MOSFET 60V N-Chan DualCool PowerTrench MOSFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQPF65N06 |
MOSFET 60V N-канальный QFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQP9P25 |
MOSFET 250V P-канал QFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDS6699S |
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench SyncFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SI9945BDY-T1-GE3 |
MOSFET 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
ZXMS6004FFTA |
MOSFET 60V N-Channel самозащищенный
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
SI9933CDY-T1-GE3 |
MOSFET 20V 4.0A 3.1W 58mohm @ 4.5V
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
SIR878ADP-T1-GE3 |
MOSFET 100V 14mOhm@10V 40A N-Ch MV T-FET
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
IPW90R120C3 |
MOSFET N-Ch 900V 36A TO247-3 CoolMOS C3
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
BSC010NE2LSI |
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
SI7469DP-T1-E3 |
MOSFET 80V 28A 83W 25mohm @ 10V
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
БСК050NE2LS |
MOSFET N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
IXFH40N85X |
MOSFET 850V Ultra Junction MOSFET класса X Pwr
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
ТК12А60Д |
MOSFET N-CH 600V 12A до 220SIS
|
Тошиба
|
|
|
|
|
|
СТЛ220Н6Ф7 |
MOSFET N-канал 60 В, 0,0012 Ом тип 120 А STRIPSFET F7 Мощность MOSFET
|
STMикроэлектроника
|
|
|
|
|
|
SI7540DP-T1-E3 |
MOSFET N- и P-CHANNEL 30В
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
IXFX32N50Q |
MOSFET 32 ампер 500В 0,15 Rds
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IXTH13N110 |
MOSFET 13 Ампер 1100В 0,92 Rds
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IXFH26N50 |
MOSFET DIODE Id26 BVdass500
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IXFK64N60P |
MOSFET 600V 64A
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IXFK30N100Q2 |
MOSFET 30 ампер 1000В 0,35 Rds
|
ИКСИС
|
|
|