IRFPG50PBF
производитель:
Вишай полупроводники
Описание:
MOSFET N-Chan 1000В 6,1 ампер
Категория:
Полупроводники
Спецификации
упаковка:
Трубка
Технологии:
Si
Категория продукции:
MOSFET
Производитель:
Вишай полупроводники
Введение
IRFPG50PBF, от Vishay Semiconductors, это MOSFET. То, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
SI2312BDS-T1-E3
MOSFET N-Channel 20V 3.9A
Si1022R-T1-GE3
MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V
SUM110P08-11L-E3
MOSFET 80V 110A 375W
SIHG73N60E-GE3
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
SI4559ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
ИРФПС37Н50АПБФ
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp
SI4946BEY-T1-E3
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
СИР462ДП-Т1-GE3
MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V
SI4435DDY-T1-GE3
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V
SI2333DS-T1-E3
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
SQM40031EL_GE3
MOSFET P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified
SQ1440EH-T1_GE3
MOSFET 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
SI2312CDS-T1-GE3
MOSFET 20V 6A N-CH MOSFET
SI7938DP-T1-GE3
MOSFET 40V 60A 46W 5.8mohm @ 10V
SI7252DP-T1-GE3
MOSFET 100V 17mOhm@10V 36.7A N-Ch MV T-FET
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET 30 Volts 0.7 Amps 0.34 Watts
SI3932DV-T1-GE3
MOSFET 30V 3.7A DUAL N-CH MOSFET
SI2303CDS-T1-GE3
MOSFET 30V 2.7A 2.3W 190 mohms @ 10V
SI4488DY-T1-E3
MOSFET 150V 5A 3.1W
SI5515CDC-T1-GE3
MOSFET 20V 4A / 4A N & P-CH MOSFET
SI7119DN-T1-E3
MOSFET 200V 3.8A 52W 1.05ohm @ 10V
SI4848DY-T1-GE3
MOSFET 150V 3.7A 3.0W 85mohm @ 10V
SI4134DY-T1-GE3
MOSFET 30V 14A 5.0W
SI7336ADP-T1-E3
MOSFET 30V 30A 5.4W 3.0mohm @10V
SI1902DL-T1-E3
MOSFET 20V 0.70A
IRFP460APBF
MOSFET N-Chan 500V 20 Amp
IRF540PBF
MOSFET N-Chan 100V 28 Amp
SI7615ADN-T1-GE3
MOSFET -20V 4.4mOhm@10V 35A P-Ch G-III
SI7315DN-T1-GE3
MOSFET -150V .315ohm@-10V -8.9A P-Ch T-FET
SI7145DP-T1-GE3
MOSFET -30V 2.6mOhm@10V 60A P-Ch G-III
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
SI2312BDS-T1-E3 |
MOSFET N-Channel 20V 3.9A
|
|
|
|
Si1022R-T1-GE3 |
MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V
|
|
|
|
SUM110P08-11L-E3 |
MOSFET 80V 110A 375W
|
|
|
|
SIHG73N60E-GE3 |
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
|
|
|
|
SI4559ADY-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
|
|
|
|
ИРФПС37Н50АПБФ |
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp
|
|
|
|
SI4946BEY-T1-E3 |
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
|
|
|
|
СИР462ДП-Т1-GE3 |
MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V
|
|
|
|
SI4435DDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V
|
|
|
|
SI2333DS-T1-E3 |
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
|
|
|
|
SQM40031EL_GE3 |
MOSFET P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SQ1440EH-T1_GE3 |
MOSFET 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SI2312CDS-T1-GE3 |
MOSFET 20V 6A N-CH MOSFET
|
|
|
|
SI7938DP-T1-GE3 |
MOSFET 40V 60A 46W 5.8mohm @ 10V
|
|
|
|
SI7252DP-T1-GE3 |
MOSFET 100V 17mOhm@10V 36.7A N-Ch MV T-FET
|
|
|
|
SI1539CDL-T1-GE3 |
MOSFET 30 Volts 0.7 Amps 0.34 Watts
|
|
|
|
SI3932DV-T1-GE3 |
MOSFET 30V 3.7A DUAL N-CH MOSFET
|
|
|
|
SI2303CDS-T1-GE3 |
MOSFET 30V 2.7A 2.3W 190 mohms @ 10V
|
|
|
|
SI4488DY-T1-E3 |
MOSFET 150V 5A 3.1W
|
|
|
|
SI5515CDC-T1-GE3 |
MOSFET 20V 4A / 4A N & P-CH MOSFET
|
|
|
|
SI7119DN-T1-E3 |
MOSFET 200V 3.8A 52W 1.05ohm @ 10V
|
|
|
|
SI4848DY-T1-GE3 |
MOSFET 150V 3.7A 3.0W 85mohm @ 10V
|
|
|
|
SI4134DY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 14A 5.0W
|
|
|
|
SI7336ADP-T1-E3 |
MOSFET 30V 30A 5.4W 3.0mohm @10V
|
|
|
|
SI1902DL-T1-E3 |
MOSFET 20V 0.70A
|
|
|
|
IRFP460APBF |
MOSFET N-Chan 500V 20 Amp
|
|
|
|
IRF540PBF |
MOSFET N-Chan 100V 28 Amp
|
|
|
|
SI7615ADN-T1-GE3 |
MOSFET -20V 4.4mOhm@10V 35A P-Ch G-III
|
|
|
|
SI7315DN-T1-GE3 |
MOSFET -150V .315ohm@-10V -8.9A P-Ch T-FET
|
|
|
|
SI7145DP-T1-GE3 |
MOSFET -30V 2.6mOhm@10V 60A P-Ch G-III
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: