IXTH13N110
производитель:
ИКСИС
Описание:
MOSFET 13 Ампер 1100В 0,92 Rds
Категория:
Полупроводники
Спецификации
Полярность транзистора:
N-канал
Технологии:
Si
Id - непрерывное течение стока:
13 a
Стил монтажа:
Через дыру
Минимальная рабочая температура:
- 55 c
Пакет / чемодан:
ТО-247-3
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
Режим канала:
Повышение
Vds - пробивное напряжение Сток-источника:
1100 В
упаковка:
Трубка
Категория продукции:
MOSFET
Количество каналов:
1 канал
Vgs - напряжение тока Ворот-источника:
20 В
Rds на - сопротивлении Сток-источника:
800 mOhms
Производитель:
IXYS
Введение
IXTH13N110, от IXYS, это MOSFET. то, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
IXFR64N60Q3
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
IXTT20N50D
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
IXFK200N10P
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
IXTQ50N25T
MOSFET 50Amps 250V
IXFP34N65X2
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
IXFH36N60P
MOSFET 600V 36A
IXFK100N65X2
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
IXTT110N10L2
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
IXFK44N80P
MOSFET 44 Amps 800V
IXFN520N075T2
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
IXFR64N60Q3 |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
|
|
|
|
IXTT20N50D |
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
|
|
|
|
IXFK200N10P |
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
|
|
|
|
IXTQ50N25T |
MOSFET 50Amps 250V
|
|
|
|
IXFP34N65X2 |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
|
|
|
|
IXFH36N60P |
MOSFET 600V 36A
|
|
|
|
IXFK100N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
|
|
|
|
IXTT110N10L2 |
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
|
|
|
|
IXFK44N80P |
MOSFET 44 Amps 800V
|
|
|
|
IXFN520N075T2 |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: