Фильтры
Фильтры
FETs, MOSFETs
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI7461DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
бсс84 |
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
SI2319DDS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
БУК7М33-60ЕХ |
MOSFET N-CH 60V 24A LFPAK33
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
PMXB120EPEZ |
MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
PMV250EPEAR |
MOSFET P-CH 40V 1.5A до 236AB
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
RK7002BMHZGT116 |
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
|
Полупроводники Rohm
|
|
|
|
|
|
SI7461DP-T1-E3 |
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
SI7137DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
SI3458BDV-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
PMV37ENEAR |
MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
ПМВ40УН2Р |
MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
PMV20ENR |
MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
DMG1013T-7 |
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
MRF8P20140WHSR3 |
FET RF 2CH 65V 1,91 ГГц NI780S-4
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MRF8P9040NR1 |
RF MOSFET LDMOS DL 28V TO272-4
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
МРФ9045LR1 |
FET RF 65V 945MHZ NI-360
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
МРФ6С19100HR3 |
FET RF 68V 1,99 ГГц NI-780
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
МРФ7С15100HR3 |
FET RF 65V 1,51 ГГц NI780
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MRFE6S9130HR3 |
FET RF 66V 880MHZ NI-780
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MMBF4416 |
RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
MRF282ZR1 |
FET RF 65V 2GHZ NI-200Z
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MRF6VP3450HR6 |
FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
МРФ6В2300НР1 |
FET RF 110V 220MHZ TO-270-4
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MRF1517NT1 |
FET RF 25V 520MHZ PLD-1.5
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MRF1513NT1 |
FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
PD84001 |
FET RF 18V 870MHZ
|
STMикроэлектроника
|
|
|
|
|
|
PD85004 |
FET RF 40V 870MHZ
|
STMикроэлектроника
|
|
|
|
|
|
МРФ1511НТ1 |
FET RF 40V 175MHZ PLD-1.5
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MRFE6S9045NR1 |
FET RF 66V 880MHZ TO-270-2
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
МРФ1518НТ1 |
FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MRF8P29300HR6 |
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
DU28200M |
Транзистор, MOSFET, 200 Вт, 28 В, 2-175
|
Технологические решения MACOM
|
|
|
|
|
|
NE3515S02-T1C-A |
Сверхнизкий шум ПСЕЮДОМОРФНЫЙ HJ
|
КЛЭ
|
|
|
|
|
|
PD55003-E |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
|
STMикроэлектроника
|
|
|
|
|
|
MRFE6VP61K25HR5 |
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
ВРФ2933МП |
RF MOSFET N-CHANNEL 50V M177
|
Технология микрочипов
|
|
|
|
|
|
VRF151 |
MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
|
Технология микрочипов
|
|
|
|
|
|
MRFE6VP5600HR6 |
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MW6S010NR1 |
FET RF 68V 960MHZ TO270-2
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MRF6VP3450HR5 |
FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
AFT09MS031NR1 |
FET RF 40V 870MHZ TO-270-2
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MRFE6VP100HR5 |
RF MOSFET LDMOS 50V NI780-4
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MRFE6S9060NR1 |
FET RF 66V 880MHZ TO270-2
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
АРФ460АГ |
FET RF N-CH 500V 14A TO247
|
Технология микрочипов
|
|
|
|
|
|
AFT27S006NT1 |
RF MOSFET LDMOS 28V PLD1.5W
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MRFE6VP6300HR5 |
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
PD55003L-E |
ТРАНЗИСТОР RF 5X5 POWERFLAT
|
STMикроэлектроника
|
|
|
|
|
|
АФТ27С010НТ1 |
FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
PD55003TR-E |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
|
STMикроэлектроника
|
|
|