MRF282ZR1
производитель:
NXP США Инк.
Описание:
FET RF 65V 2GHZ NI-200Z
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
FET, MOSFET
RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Подвеска на шасси
Напряжение - номинальное:
65 v
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Режущая лента (КТ)
Digi-Reel®
Серия:
-
Число шума:
-
Пакет изделий поставщика:
NI-200Z
Напряжение тока - тест:
26 В
Мфр:
NXP USA Inc.
Частота:
2 ГГц
Прибыль:
11.5 дБ
Пакет / чемодан:
NI-200Z
Настоящий - тест:
75 мам
Мощность - выход:
10 Вт
Технологии:
ldmos
Регулируемый ток (ампер):
-
Номер базовой продукции:
MRF28
Введение
RF Mosfet 26 V 75 mA 2 ГГц 11,5 дБ 10 Вт NI-200Z
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
АФТ21С230СР3 |
FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: