Фильтры
Фильтры
MOSFET
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQD18N20V2TM |
MOSFET 200V N-Ch adv QFET серии V2
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SI4435DDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-канал
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
БСС123,215 |
MOSFET N-CH TRNCH 100 В, 15 А
|
Нексперия
|
|
|
|
|
|
IXFN520N075T2 |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
SI2333DS-T1-E3 |
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 мкм @ 4.5В
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
SPW47N60C3 |
MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
SQM40031EL_GE3 |
MOSFET p Ch -40V Vds AEC-Q101 квалифицировал
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
SUM70060E-GE3 |
MOSFET 100V Vds 131A Id 0.0056Vgs Rds ((Включено))
|
Силиконикс / Вишай
|
|
|
|
|
|
FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4,5A 8-SO
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A до 220
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
IRFS4410ZTRLPBF |
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
TK20A60U |
MOSFET N-CH 600V 20A до 220SIS
|
Тошиба
|
|
|
|
|
|
ИПА60R400CE |
MOSFET N-CH 600V до 220-3
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
IPD25N06S4L-30 |
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
IXFH23N80Q |
MOSFET 23 ампер 800В 0,40 Rds
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IXFN80N50Q2 |
MOSFET 80 ампер 500В 0,06 Rds
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IXFX32N50 |
MOSFET 32 ампер 500В 0,16 Rds
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IXFH13N80 |
MOSFET 800V 13A
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
DMP6023LFGQ-13 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41В-60В
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
IXTQ96N15P |
MOSFET 96 ампер 150В 0,024 Rds
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
SQ1440EH-T1_GE3 |
MOSFET 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Квалифицированный
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
IXFH170N10P |
MOSFET 170 ампер 100В 0,009 Rds
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IXFK180N10 |
MOSFET 100В 180А
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
ATP106-TL-H |
Устройство переключения MOSFET
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
SPA17N80C3 |
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
SI2312CDS-T1-GE3 |
MOSFET 20V 6A N-CH MOSFET
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
SI7938DP-T1-GE3 |
MOSFET 40V 60A 46W 5.8mohm @ 10V
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
SI7252DP-T1-GE3 |
MOSFET 100V 17mOhm@10V 36.7A N-Ch MV T-FET
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
IPT007N06N |
МОСФЕТ ДИФЕРЕНЦИРОВАННЫЕ МОСФЕТы
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
BSC028N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
FDT434P |
MOSFET SOT-223 P-CH -20В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
IRF7343TRPBF |
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 55В 4,7А
|
ИК / Инфинеон
|
|
|
|
|
|
SSM3J328R |
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
|
Тошиба
|
|
|
|
|
|
SI1539CDL-T1-GE3 |
MOSFET 30 Вольт 0,7 Ампер 0,34 Ватт
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
2N7002DW-7-F |
MOSFET 60V 200 мВт
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
IXFH46N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/46A Ультрасоединение X2
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IXTP60N10T |
MOSFET MOSFET Id60 BVdass100
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IXTP60N20T |
MOSFET ТРЕНЧ ПУВЕР MOSFET 200 В, 60 А
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IPW60R070P6 |
MOSFET высокая мощность цена / производительность
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
SI3932DV-T1-GE3 |
MOSFET 30V 3.7A ДВОЙ Н-CH MOSFET
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
ФДА20Н50Ф |
MOSFET 500V N-канал
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSC040N10NS5 |
MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
FQA46N15 |
MOSFET 150V N-канальный QFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDP51N25 |
MOSFET 250V N-канальный MOSFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQP27N25 |
MOSFET 250V N-канальный QFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDMS86104 |
MOSFET 100В N-канальный MOSFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
IRFB5615PBF |
MOSFET Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
FQPF6N90C |
MOSFET 900V N-Ch Q-FET продвижение C-серии
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|