Фильтры
Фильтры
RF FET, MOSFET
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BLF244 |
BLF244 - VHF мощность VDM
|
Рочестер Электроникс, ООО
|
|
|
|
|
|
АФТ21С230СР3 |
FET RF 65V 2,11 ГГц NI780S-6
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
PD55003 |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
|
STMикроэлектроника
|
|
|
|
|
|
BLF242 |
BLF242 - VHF PUSH-PULL POWER VDM (мощность подталкивания и оттягивания по частоте)
|
Рочестер Электроникс, ООО
|
|
|
|
|
|
BLF1046 |
RF PFET, 1-ЭЛЕМЕНТ, УЛТРА СВЕРХИЙ F
|
Амплеон США Инк.
|
|
|
|
|
|
BLF177 |
BLF177 - HF/VHF POWER VDMOS TRAN
|
Рочестер Электроникс, ООО
|
|
|
|
|
|
BLF1043 |
RF PFET, 1-ЭЛЕМЕНТ, УЛТРА СВЕРХИЙ F
|
Амплеон США Инк.
|
|
|
|
|
|
FTD2017A-TL-E |
NCH+NCH 2.5V серии приводов
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
BLF521 |
РЧ СМИ СИГНАЛЬНЫЙ ПОЛОК-ЕФЕКТ TRA
|
Амплеон США Инк.
|
|
|
|
|
|
2SJ615-TD-E |
PCH 4V DRIVE серии
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
ДЕ150-501Н04А |
RF MOSFET N-CHANNEL DE150
|
ИКСИС-РФ
|
|
|
|
|
|
ДЕ475-102Н21А |
RF MOSFET N-CHANNEL DE475
|
ИКСИС-РФ
|
|
|
|
|
|
ДЕ375-102Н12А |
RF MOSFET N-CHANNEL DE375
|
ИКСИС-РФ
|
|
|
|
|
|
ДЕ275-102Н06А |
RF MOSFET N-CHANNEL DE275
|
ИКСИС-РФ
|
|
|
|
|
|
MRF8P20140WHSR3 |
FET RF 2CH 65V 1,91 ГГц NI780S-4
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MRF8P9040NR1 |
RF MOSFET LDMOS DL 28V TO272-4
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
МРФ9045LR1 |
FET RF 65V 945MHZ NI-360
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
МРФ6С19100HR3 |
FET RF 68V 1,99 ГГц NI-780
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
МРФ7С15100HR3 |
FET RF 65V 1,51 ГГц NI780
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MRFE6S9130HR3 |
FET RF 66V 880MHZ NI-780
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MMBF4416 |
RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
MRF282ZR1 |
FET RF 65V 2GHZ NI-200Z
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MRF6VP3450HR6 |
FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
МРФ6В2300НР1 |
FET RF 110V 220MHZ TO-270-4
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MRF1517NT1 |
FET RF 25V 520MHZ PLD-1.5
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MRF1513NT1 |
FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
PD84001 |
FET RF 18V 870MHZ
|
STMикроэлектроника
|
|
|
|
|
|
PD85004 |
FET RF 40V 870MHZ
|
STMикроэлектроника
|
|
|
|
|
|
МРФ1511НТ1 |
FET RF 40V 175MHZ PLD-1.5
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MRFE6S9045NR1 |
FET RF 66V 880MHZ TO-270-2
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
МРФ1518НТ1 |
FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MRF8P29300HR6 |
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
DU28200M |
Транзистор, MOSFET, 200 Вт, 28 В, 2-175
|
Технологические решения MACOM
|
|
|
|
|
|
NE3515S02-T1C-A |
Сверхнизкий шум ПСЕЮДОМОРФНЫЙ HJ
|
КЛЭ
|
|
|
|
|
|
PD55003-E |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
|
STMикроэлектроника
|
|
|
|
|
|
MRFE6VP61K25HR5 |
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
ВРФ2933МП |
RF MOSFET N-CHANNEL 50V M177
|
Технология микрочипов
|
|
|
|
|
|
VRF151 |
MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
|
Технология микрочипов
|
|
|
|
|
|
MRFE6VP5600HR6 |
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MW6S010NR1 |
FET RF 68V 960MHZ TO270-2
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MRF6VP3450HR5 |
FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
AFT09MS031NR1 |
FET RF 40V 870MHZ TO-270-2
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MRFE6VP100HR5 |
RF MOSFET LDMOS 50V NI780-4
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MRFE6S9060NR1 |
FET RF 66V 880MHZ TO270-2
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
АРФ460АГ |
FET RF N-CH 500V 14A TO247
|
Технология микрочипов
|
|
|
|
|
|
AFT27S006NT1 |
RF MOSFET LDMOS 28V PLD1.5W
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
MRFE6VP6300HR5 |
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
PD55003L-E |
ТРАНЗИСТОР RF 5X5 POWERFLAT
|
STMикроэлектроника
|
|
|
|
|
|
АФТ27С010НТ1 |
FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W
|
NXP США Инк.
|
|
|
|
|
|
PD55003TR-E |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
|
STMикроэлектроника
|
|
|