Фильтры
Фильтры
Транзисторы
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
ФДМС86263П |
MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
NVMFS5113PLT1G |
MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
НДТ2955 |
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
ИРФ740ПБФ |
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
SI2305CDS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
PJA138K_R1_00001 |
SOT-23, MOSFET
|
Панджит Интернешнл Инк.
|
|
|
|
|
|
SIR422DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
SSM3J328R, LF |
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
|
Toshiba Semiconductor и хранилища
|
|
|
|
|
|
ДМН2058УВ-7 |
MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
ДМН2400УФБ-7 |
MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
NX7002AK,215 |
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
SIR681DP-T1-RE3 |
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
IRF820PBF |
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
SIA456DJ-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
SI7461DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
бсс84 |
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
SI2319DDS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
БУК7М33-60ЕХ |
MOSFET N-CH 60V 24A LFPAK33
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
PMXB120EPEZ |
MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
PMV250EPEAR |
MOSFET P-CH 40V 1.5A до 236AB
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
RK7002BMHZGT116 |
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
|
Полупроводники Rohm
|
|
|
|
|
|
SI7461DP-T1-E3 |
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
SI7137DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
SI3458BDV-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
|
Вишай Силиконикс
|
|
|
|
|
|
PMV37ENEAR |
MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
ПМВ40УН2Р |
MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
PMV20ENR |
MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
|
Нексперия США Инк.
|
|
|
|
|
|
DMG1013T-7 |
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
LMN400E01-7 |
Модуль загрузки MCU 400MA SOT-363
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
2СК932-22-ТБ-Э |
JFET N-CH 50MA SMCP
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
2N5457 |
JFET N-CH 25V TO92-3
|
Центральная полупроводниковая корпорация
|
|
|
|
|
|
2СК2394-7-ТБ-Э |
JFET N-CH 50MA 3CP
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
MMBFJ177 |
JFET P-CH 30V SOT23-3
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
2SK3666-3-ТБ-Э |
JFET N-CH 10MA SMCP
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
J201 |
JFET N-CH 40V TO92-3
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
2SK932-23-TB-E |
JFET N-CH 50MA SMCP
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
MMBF4392LT1G |
JFET N-CH 30V SOT23-3
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
MMBFJ177LT1G |
JFET P-CH 30V SOT23-3
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
2SK932-24-TB-E |
JFET N-CH 50MA SMCP
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
MMBFJ201 |
JFET N-CH 40V SOT23-3
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
2N5458 |
JFET N-CH 25V TO92
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
2SC5338-T1-AZ |
RF TRANS NPN 12V 6ГГц SOT89
|
КЛЭ
|
|
|
|
|
|
2SC4226-Т1-А |
RF TRANS NPN 12V 4,5 ГГц SOT323
|
КЛЭ
|
|
|
|
|
|
2SC3357-T1-A |
RF TRANS NPN 12V 6,5 ГГц SOT89
|
КЛЭ
|
|
|
|
|
|
MRF5812GR1 |
RF TRANS NPN 15V 5ГГц 8SO
|
Корпорация Микросеми
|
|
|
|
|
|
BF199 |
RF TRANS NPN 25V 1.1GHz TO92-3
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
HFA3046BZ |
RF TRANS 5 NPN 12V 8GHz 14SOIC
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
SLA4070 |
Транс 4PNP DARL 100V 5A 12SIP
|
Санкен Электрик США Инк.
|
|
|
|
|
|
SLA4031 |
Транс 4NPN DARL 120V 4A 12SIP
|
Санкен Электрик США Инк.
|
|
|
|
|
|
СТА413А |
Транс 4NPN 35V 3A 10-SIP
|
Санкен Электрик США Инк.
|
|
|