Фильтры
Фильтры
Память
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
K4G80325FB-HC25 |
Графическая память
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
M29DW128G70NF6E |
NOR Flash Параллельный 128 Мбит 16 56/56
|
STMикроэлектроника
|
|
|
|
|
|
ИС41ЛВ16100С-50КЛИ-ТР |
DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Асинхронный
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
ИС43ТР16256АЛ-15ХБЛИ |
DRAM 4G, 1,35 В, 1333 МГц DDR3L SDAM
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
S29CD016J0PQAM113 |
Флэш-память ни
|
Кипарис полупроводник
|
|
|
|
|
|
ИС43ТР16640А-125ДЖБЛИ |
DRAM 1G, 1,5В, (64M x 16) 1600Mhz DDR3 SDRAM
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
ИС41К16100К-50КЛИ |
DRAM 16M, 5V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Асинхронность
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
ИС43ТР16128Б-15ХБЛИ |
DRAM 2G, 1,5 В, 1333 МТ/с 128Mx16 DDR3 SDRAM
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
ИС43ТР16128Б-125КБЛИ |
DRAM 2G, 1,5 В, 1600 МТ/с 128Mx16 DDR3 SDRAM
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
ИС43ТР16256А-125КБЛИ |
DRAM 4G, 1,5 В, 1600 МГц DDR3 SDRAM
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256AL-125KBL |
DRAM 4G, 1,35 В, 1600 МГц DDR3L SDAM
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
С29ГЛ128Н90ФФАР22 |
Флэш-память ни
|
Кипарис полупроводник
|
|
|
|
|
|
ТХГБМФГ6С1ЛБАИЛ |
Флэш-память 8 ГБ NAND EEPROM
|
Тошиба
|
|
|
|
|
|
S29GL032N90FFIS30 |
Параллель флэш-памяти 32Mb 3V 90ns НИ внезапное
|
Кипарис полупроводник
|
|
|
|
|
|
TC58BVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2 Гбит CMOS и NAND EEPROM
|
Тошиба
|
|
|
|
|
|
THGBMHG7C1LBAIL |
Флэш-память 16 ГБ NAND EEPROM с CQ
|
Тошиба
|
|
|
|
|
|
S70FL256P0XMFI001 |
Флэш-память 256M, 3.0V, 104Mhz SPI НИ вспышка
|
Кипарис полупроводник
|
|
|
|
|
|
S25FL116K0XMFI041 |
Флэш-память 16M, 3V, 108Mhz серийное НИ внезапное
|
Кипарис полупроводник
|
|
|
|
|
|
IS25LQ020B-JNLE-TR |
Флэш-память 2Mb QSPI, 8-контактный SOP 150Mil, RoHS, ET, T&R
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
IS25LQ032B-JBLE |
Флэш-память 32M SPI, SOP 208mil 8 штырей ET 2.3-3.6V
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
TC58NVG1S3HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 2 Гбит CMOS и NAND EEPROM
|
Тошиба
|
|
|
|
|
|
TC58NVG2S0HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 4 Гбит CMOS и NAND EEPROM
|
Тошиба
|
|
|
|
|
|
TC58BVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 1 Гбит CMOS и NAND EEPROM
|
Тошиба
|
|
|
|
|
|
S29JL032J70TFI220 |
Параллель флэш-памяти 32MB внезапные 3.0V 70ns НИ внезапный
|
Кипарис полупроводник
|
|
|
|
|
|
S34MS04G100BHI000 |
Флэш-память 4G, 1,8 В, 45 нс NAND Flash
|
Спансия / Кипр
|
|
|
|
|
|
S34ML01G200BHV000 |
Флэш-память Nand
|
Кипарис полупроводник
|
|
|
|
|
|
S34MS01G100BHI000 |
Флэш-память 1G, 1,8 В, 45 нс
|
Спансия / Кипр
|
|
|
|
|
|
S29GL032N90TFI023 |
Параллель флэш-памяти 32MB 2.7-3.6V 90ns НИ внезапное
|
Кипарис полупроводник
|
|
|
|
|
|
IS25WP016D-JULE-TR |
NOR Flash 16Mb QSPI, 8-pin USON 2X3MM, RoHS, T&R
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
TC58NVG1S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 2 Гбит CMOS и NAND EEPROM
|
Тошиба
|
|
|
|
|
|
TC58BVG1S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 2 Гбит CMOS и NAND EEPROM
|
Тошиба
|
|
|
|
|
|
TC58NVG0S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 1 Гбит CMOS и NAND EEPROM
|
Тошиба
|
|
|
|
|
|
TC58BVG2S0HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 4 Гбит CMOS и NAND EEPROM
|
Тошиба
|
|
|
|
|
|
ИС43ТР16256А-125КБЛИ-ТР |
DRAM 4G, 1,5 В, 1600 МГц DDR3
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
ИС43ТР16256А-107МБЛИ |
DRAM 4G, 1,5В, 1866MHz 256Mx16 DDR3 SDRAM
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
ИС43ТР16128КЛ-125КБЛ |
DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1,35В
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
ИС43ТР16128Б-15ХБЛ |
DRAM 2G, 1,5 В, 1333 МТ/с 128Mx16 DDR3 SDRAM
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
ИС43ТР16512АЛ-125КБЛ |
DRAM DDR3L,8G,1.5В, RoHs 1600Мт/с, 512Mx16
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
IS43DR16128B-25EBLI |
DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400Mhz @ CL6, 84 шары BGA (10.5mmx13.5mm) RoHS, IT
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
ИС43ТР16256АЛ-125КБЛИ |
DRAM 4G, 1,35 В, 1600 МГц DDR3L SDAM
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
IS46TR16128B-15HBLA1 |
DRAM Automotive (Tc: -40 до +95C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 шаров BGA (9mm x13m
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
IS41LV16100C-50TLI |
DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Асинхронный
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128BL-125KBL |
DRAM 2G, 1,35 В, 1600 МТ/с 128Mx16 DDR3L SDRAM
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
IS43TR16512AL-125KBLI |
DRAM DDR3L,8G,1.35В, RoHs 1600MT/s,512Mx16, IT
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
MT40A512M16TB-062E: J |
ДРАХМА DDR4 8G 512Mx16 FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
S29GL512P11FFI020 |
Параллель флэш-памяти 512Mb 3V 110ns НИ внезапное
|
Кипарис полупроводник
|
|
|
|
|
|
S25FL116K0XMFI011 |
Флэш-память 16M, 3V, 108Mhz серийное НИ внезапное
|
Кипарис полупроводник
|
|
|
|
|
|
TC58NVG1S3ETA00 |
Флэш-память 1 Гб 3.3 Вт SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
Тошиба
|
|
|
|
|
|
TH58NVG4S0FTA20 |
Флэш-память 3.3V 16Gbit NAND EEPROM
|
Тошиба
|
|
|
|
|
|
DS2432P+Т&Р |
EEPROM
|
ADI / Analog Devices Inc.
|
|
|