TC58NVG2S0HBAI4
Спецификации
Течение поставки - Макс:
30 мА
Категория продукции:
EEPROM
Стил монтажа:
SMD/SMT
Минимальная рабочая температура:
- 40 градусов.
Организация:
512 М х 8
Пакет / чемодан:
TFBGA-63
Максимальная рабочая температура:
+ 85 C
Размер памяти:
4 Gbit
упаковка:
Поднос
Серия:
TC58NVG2S0
Рабочее напряжение питания:
3.3 В
Тип интерфейса:
Параллельно
Максимальная частота часов:
-
Производитель:
Тошиба
Введение
TC58NVG2S0HBAI4, от Toshiba, это EEPROM. то, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых деталях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
Related Products

TC58NVG0S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM

TC58NYG0S3HBAI6
EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM

TC58BVG0S3HTA00
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM

TC58BVG2S0HTA00
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM

TC58NVG1S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM

TC58BVG1S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM

TC58NVG1S3HBAI4
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM

TC58BVG0S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM

TC58NVG1S3HTA00
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM

TC58BVG1S3HTA00
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
Изображение | часть # | Описание | |
---|---|---|---|
![]() |
TC58NVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
![]() |
TC58NYG0S3HBAI6 |
EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
![]() |
TC58BVG0S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
![]() |
TC58BVG2S0HTA00 |
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
![]() |
TC58NVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
![]() |
TC58BVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
![]() |
TC58NVG1S3HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
![]() |
TC58BVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
![]() |
TC58NVG1S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
![]() |
TC58BVG1S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: