TC58NVG1S3HTAI0
производитель:
Тошиба
Описание:
EEPROM 3.3V, 2 Гбит CMOS и NAND EEPROM
Категория:
Полупроводники
Спецификации
Течение поставки - Макс:
30 мА
Категория продукции:
EEPROM
Стил монтажа:
SMD/SMT
Организация:
256 m x 8
Пакет / чемодан:
TSOP-48
Размер памяти:
2 Gbit
упаковка:
Поднос
Серия:
TC58NVG1S3
Тип интерфейса:
Параллельно
Максимальная частота часов:
-
Производитель:
Тошиба
Введение
TC58NVG1S3HTAI0, от Toshiba, это EEPROM. то, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых деталях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
TC58NVG0S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NYG0S3HBAI6
EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG0S3HTA00
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG2S0HTA00
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG1S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NVG1S3HBAI4
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NVG2S0HBAI4
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG0S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NVG1S3HTA00
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG1S3HTA00
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
TC58NVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NYG0S3HBAI6 |
EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG0S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG2S0HTA00 |
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NVG1S3HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NVG2S0HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NVG1S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG1S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: