Фильтры
Фильтры
Память
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
N25Q128A11ESE40G |
IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8SO
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
N25Q256A13EF840E |
IC FLASH 256M SPI 108MHZ 8VDFPN
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT41J256M8HX-187E:D |
IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F4G16ABADAWP-IT: D |
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I (включается в перечень)
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTA9ASF1G72PZ-2G9E1 |
IC DRAM 72G PARALLEL 1467MHZ
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ46В16М16П-5Б:М |
IC DRAM 256M ПАРАЛЕЛЬ 66TSOP
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC16GAPALBH-AIT |
IC FLASH 128G MMC
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC32GAPALNA-AAT |
IC FLASH 256G MMC
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
W971GG6KB25I |
IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
MTFC8GAMALBH-AAT |
IC FLASH 64G MMC
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT47H128M8CF-3: H |
IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
W632GG6KB-15 |
IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
W25Q32FVSSIG |
IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
W25Q256FVEIG |
IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
W25Q16DVSSIG |
IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
MT48LC4M16A2P-7E: G |
IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F8G08ABABAWP-ITX:B |
IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
N25Q064A13ESF40F |
IC FLASH 64M SPI 108MHZ 16SO W
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F4G01ABAFDWB-IT: F |
IC Flash 4G SPI UPDFN
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F128G08AJAAAWP-IT:A |
IC FLASH 128G PARALLEL 48TSOP I
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F1G08ABADAWP: D |
IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F1G08ABBDAHC:D |
IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ2С2С2С2С2С2С2С2С2С2С2С2С2С2С2С2С2С2С2С2С2С2С3 |
IC FLASH 2G SPI 63VFBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ29Ф4Г16АБАДАХ4:D |
IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ29F8G08ADBDAH4:D |
IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC16GAPALNA-AIT |
EMMC 128G MMC5.1 J56X AT
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC64GAPALNA-AIT |
EMMC 512G MMC5.1 J58X AT
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ4С4С4С4С4С4 |
IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
W25Q128BVEIG |
IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
W29GL064CB7S |
IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP (включает в себя все необходимые элементы)
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
W972GG6JB-3 |
IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
W25Q128FVFIG |
IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
ДЖС28Ф128ДЖ3Ф75А |
IC FLASH 128M ПАРАЛЕЛЬ 56TSOP
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
N25Q512A13G1240E |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
N25Q128A13EF840E |
IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8VDFPN
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
N25Q256A13ESF40G |
IC FLASH 256M SPI 108MHZ 16SOP2
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT41J128M16JT-125: K |
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
W9412G6JH-4 |
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
MT28EW512ABA1HPC-0AAT |
IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT25QL512ABB8E12-0SIT |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F1G08ABBEAH4-ITX: E |
IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
N25Q032A11ESE40G |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SO
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F4G08ABAEAWP-IT: E |
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
W25Q256FVEJF |
IC ФЛАСШ-память 256 МБ
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
MT41J128M16JT-107G:K |
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT41J256M16HA-125: E |
IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT41K128M16JT-125: K |
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ412 МТ412 МТ412 МТ412 МТ412 МТ412 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ415 МТ414 МТ414 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ4 |
IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT41K512M8RH-125:E |
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
TC58NVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 1 Гбит CMOS и NAND EEPROM
|
Тошиба
|
|
|