logo
Отправить сообщение
Дом > продукты > Память
Фильтры
Фильтры

Память

Изображениечасть #ОписаниепроизводительЗапасRFQ
MT29F4G08ABADAWP: D

MT29F4G08ABADAWP: D

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP
Технология микронов
MT29F32G08CBADBWPR: D

MT29F32G08CBADBWPR: D

IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP
Технология микронов
МТ2МТ2МТ2МТ2МТ2МТ2МТ2МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3

МТ2МТ2МТ2МТ2МТ2МТ2МТ2МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3

IC FLASH 1G SPI 166MHZ 16SOP2
Технология микронов
W25X20ВСНИГ

W25X20ВСНИГ

IC FLASH 2M SPI 75MHZ 8SOIC
Уинбонд Электроника
PC28F128J3D75A

PC28F128J3D75A

IC FLASH 128M PARALLEL 64EASYBGA
Технология микронов
МТ4С16М36СЖ-25Е:Б

МТ4С16М36СЖ-25Е:Б

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA
Технология микронов
M29W128GH70N6E

M29W128GH70N6E

IC FLASH 128M ПАРАЛЕЛЬ 56TSOP
Технология микронов
W25X16VSSIG

W25X16VSSIG

IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC
Уинбонд Электроника
W25Q80JVSNIQ

W25Q80JVSNIQ

IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8SOIC
Уинбонд Электроника
N25Q032A13ESC40F

N25Q032A13ESC40F

IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SOP2
Технология микронов
RC28F128J3C150

RC28F128J3C150

IC FLASH 128M PARALLEL 64EASYBGA
Технология микронов
M28W160CT70N6E

M28W160CT70N6E

IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP (включает в себя все необходимые элементы)
Технология микронов
С29ГЛ256Н11ТФИ010

С29ГЛ256Н11ТФИ010

3.0 Флэш-память в режиме страницы только на вольт с технологией процесса MirrorBitTM 110 нм
Спансия / Кипр
K9F4G08U0B-PCB0

K9F4G08U0B-PCB0

512M x 8 бит / 1G x 8 бит NAND Флэш-память
Полупроводники Samsung
W25X16AVSSIG

W25X16AVSSIG

IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC
Уинбонд Электроника
W25X64VSFIG

W25X64VSFIG

IC FLASH 64M SPI 75MHZ 16SOIC
Уинбонд Электроника
K4S641632K-UC60

K4S641632K-UC60

64 Мб SDRAM
Полупроводники Samsung
K9F2G08U0D-SCB0

K9F2G08U0D-SCB0

256M x 8 битная флеш-память NAND
Полупроводники Samsung
K9K8G08U0A-PIB0

K9K8G08U0A-PIB0

1G x 8 Битов / 2G x 8 Битов NAND Флэш-память
Полупроводники Samsung
S29JL032H70TFI010

S29JL032H70TFI010

32M BIT CMOS 3,0V ФЛАСШ-память
Спансия / Кипр
KLUEG8U1EM-B0B1

KLUEG8U1EM-B0B1

Карта памяти
Полупроводники Samsung
PC28F256M29EWLA

PC28F256M29EWLA

IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA
Технология микронов
MT25QL128ABA1EW9-0SIT

MT25QL128ABA1EW9-0SIT

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
Технология микронов
MT25QU128ABA1EW9-0SIT

MT25QU128ABA1EW9-0SIT

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
Технология микронов
MT28EW01GABA1HPC-0SIT

MT28EW01GABA1HPC-0SIT

IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA
Технология микронов
MT28EW512ABA1HJS-0SIT

MT28EW512ABA1HJS-0SIT

IC FLASH 512M ПАРАЛЕЛЬ 56TSOP
Технология микронов
M29W400DB55N6E

M29W400DB55N6E

IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP (включает в себя:
Технология микронов
MT25QU256ABA1EW9-0SIT

MT25QU256ABA1EW9-0SIT

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
Технология микронов
MT28ЭВ128ABA1HPN-0SIT

MT28ЭВ128ABA1HPN-0SIT

IC FLASH 128M ПАРАЛЕЛЬНО 56VFBGA
Технология микронов
MT25QL512ABB8E12-0AUT

MT25QL512ABB8E12-0AUT

IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
Технология микронов
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
Технология микронов
MT25QU01GBBB8E12-0AUT

MT25QU01GBBB8E12-0AUT

IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
Технология микронов
MTFC8GACAENS-AAT

MTFC8GACAENS-AAT

IC FLASH 64G MMC
Технология микронов
M29W256GL70N6E

M29W256GL70N6E

IC FLASH 256M ПАРАЛЕЛЬ 56TSOP
Технология микронов
MT40A512M16LY-075: E

MT40A512M16LY-075: E

IC DRAM 8G PARALLEL 1,33 ГГц
Технология микронов
MT25QL02GCBB8E12-0AAT

MT25QL02GCBB8E12-0AAT

IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA
Технология микронов
MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D

MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D

IC FLASH 32G ПАРАЛЕЛЬНО 166MHZ
Технология микронов
JS28F256J3F105A

JS28F256J3F105A

IC FLASH 256M ПАРАЛЕЛЬ 56TSOP
Технология микронов
W9425G6EH-5

W9425G6EH-5

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
Уинбонд Электроника
МТ2С2С2С2С2

МТ2С2С2С2С2

IC DRAM 8G PARALLEL 1,6 ГГц
Технология микронов
PC28F00AM29EWHA

PC28F00AM29EWHA

IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA
Технология микронов
PC28F00AP30EFA

PC28F00AP30EFA

IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA
Технология микронов
JS28F00AP33TFA

JS28F00AP33TFA

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
Технология микронов
PC28F512P30EFA

PC28F512P30EFA

IC FLASH 512M PARALLEL 64EASYBGA
Технология микронов
JS28F512P33TFA

JS28F512P33TFA

IC FLASH 512M ПАРАЛЕЛЬ 56TSOP
Технология микронов
JS28F512P30BFA

JS28F512P30BFA

IC FLASH 512M ПАРАЛЕЛЬ 56TSOP
Технология микронов
W25X20AVСНИГ

W25X20AVСНИГ

IC FLASH 2M SPI 100MHZ 8SOIC
Уинбонд Электроника
W25Q64BVSFIG

W25Q64BVSFIG

IC FLASH 64M SPI 80MHZ 16SOIC
Уинбонд Электроника
W25X10BVСНИГ

W25X10BVСНИГ

IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8SOIC
Уинбонд Электроника
W25X40BVSSIG

W25X40BVSSIG

IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
Уинбонд Электроника
10 11 12 13 14