IXBT2N250
производитель:
ИКСИС
Описание:
IGBT-транзисторы
Категория:
Полупроводники
Спецификации
течение утечки Ворот-излучателя:
+/- 100 nA
Категория продукции:
IGBT-транзисторы
Стил монтажа:
Через дыру
Непрерывное течение сборника на 25 c:
5 a
Pd - рассеивание энергии:
32 Вт
Напряжение тока коллектор- эмиттера VCEO Макс:
2,5 kV
Пакет / чемодан:
ТО-247-3
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
Максимальное напряжение тока излучателя ворот:
+/- 20 v
упаковка:
Трубка
Конфигурация:
Одинокий
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера:
3,15 В
Производитель:
IXYS
Введение
IXBT2N250, от IXYS, это IGBT транзисторы. то, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: