IXXH60N65B4H1
производитель:
ИКСИС
Категория:
Полупроводники
Спецификации
течение утечки Ворот-излучателя:
nA 100
Категория продукции:
IGBT-транзисторы
Стил монтажа:
Через дыру
Непрерывное течение сборника на 25 c:
116 a
Pd - рассеивание энергии:
380 Вт
Напряжение тока коллектор- эмиттера VCEO Макс:
650 v
Пакет / чемодан:
TO-247AD-3
Максимальная рабочая температура:
+ 175 c
Максимальное напряжение тока излучателя ворот:
20 В
упаковка:
Трубка
Конфигурация:
Одинокий
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера:
1.7 В
Производитель:
IXYS
Введение
IXXH60N65B4H1, от IXYS, это IGBT транзисторы. то, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
IXYX120N120C3 |
|
|
|
|
IXGT6N170A |
|
|
|
|
IXGH6N170A |
|
|
|
|
IXYH40N65C3H1 |
|
|
|
|
IXGH30N120B3D1 |
|
|
|
|
IXGH16N170 |
|
|
|
|
IXYX30N170CV1 |
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: