IXGH30N120B3D1
производитель:
ИКСИС
Категория:
Полупроводники
Спецификации
течение утечки Ворот-излучателя:
nA 100
Категория продукции:
IGBT-транзисторы
Стил монтажа:
Через дыру
Непрерывное течение сборника на 25 c:
50 А
Pd - рассеивание энергии:
300 Вт
Напряжение тока коллектор- эмиттера VCEO Макс:
1,2 kV
Пакет / чемодан:
ТО-247-3
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
упаковка:
Трубка
Максимальное напряжение тока излучателя ворот:
+/- 20 v
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера:
2.96 В
Производитель:
IXYS
Введение
IXGH30N120B3D1, от IXYS, это IGBT транзисторы. То, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
IXXH60N65B4H1 |
|
|
|
|
IXYX120N120C3 |
|
|
|
|
IXGT6N170A |
|
|
|
|
IXGH6N170A |
|
|
|
|
IXYH40N65C3H1 |
|
|
|
|
IXGH16N170 |
|
|
|
|
IXYX30N170CV1 |
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: