Фильтры
Фильтры
Транзисторы
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
ДМН601ТК-7 |
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
DMP6185SE-13 |
MOSFET PCH 60V 3A SOT223
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
NTLJS4114NT1G |
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
FDS6630A |
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
ДМП6180СК3-13 |
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
FDD7N20TM |
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
IPD50N04S4L-08 |
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
ФДД306П |
MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
FQD8P10TM |
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
BS170 |
MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
STD44N4LF6 |
MOSFET N-CH 40V 44A DPAK
|
STMикроэлектроника
|
|
|
|
|
|
ФДД3860 |
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
FDS86267P |
MOSFET P-CH 150 В
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
IRFB7545PBF |
MOSFET N CH 60V 95A до 220AB
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
IRF100S201 |
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
IRFB7430PBF |
МОП-транзистор N CH 40V 195A TO220
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
AUIRF5210STRL |
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
ИРФУ3607ПБФ |
MOSFET N-CH 75V 56A I-PAK
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
ИРФСЛ3306ПБФ |
MOSFET N-CH 60V 120A до 262
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
IRFR4510TRPBF |
MOSFET N CH 100V 56A DPAK
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
АУИРФ4905 |
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
IRF300P226 |
MOSFET IFX OPTIMOS TO247
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
IRFB3006GPBF |
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
2СК2837 |
Силиконовый N-канал типа MOS (π−MOSV)
|
Полупроводник Тошиба
|
|
|
|
|
|
2SK2225-E |
MOSFET 2A, 1500В, TO-3PFM, без Pb
|
Ренесас Электроникс
|
|
|
|
|
|
SQS401EN-T1-GE3 |
MOSFET 40V 16A 62.5W P-Ch Автомобильные
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
IXFN180N10 |
MOSFET 180 ампер 100В 0,008 Rds
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IXFN230N10 |
MOSFET 230 ампер 100В 0,006 Rds
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
HAT2160H-EL-E |
МОСФЕТ МОСФЕТ
|
Ренесас Электроникс
|
|
|
|
|
|
IXFB50N80Q2 |
MOSFET 50 ампер 800 В
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
NX138AKSX |
MOSFET NX138AKS/SC-88/REEL 7" Q1/T1 *
|
Нексперия
|
|
|
|
|
|
IXFN73N30 |
MOSFET 300V 73A
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
CSD88537ND |
MOSFET 60-вольтный двуканальный N-канальный MOSFET
|
Техасские инструменты
|
|
|
|
|
|
IXFH20N100P |
MOSFET 20 ампер 1000В 1 Rds
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
ПМЗБ290UNE2YL |
MOSFET 20V N-канальный траншея MOSFET
|
Нексперия
|
|
|
|
|
|
ИПД30Н03С4Л-14 |
MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
SI4816BDY-T1-GE3 |
MOSFET Dua lN-Ch w/Schottky 30V 18,5/11,5 мох
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
SPW20N60C3 |
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
ФДП33Н25 |
MOSFET 250V N-канальный MOSFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
ИПБ014Н06Н |
MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
IPP60R099P6 |
MOSFET высокая мощность цена / производительность
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
FQA9N90C |
MOSFET 900V N-канальный QFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDS89161LZ |
MOSFET PT5 100V логический уровень с Зенером
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
IRFL014TRPBF |
MOSFET N-Chan 60V 2,7 ампера
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
DMHC3025LSD-13 |
MOSFET 30V Comp ENH Mode H-Bridge 20V VGSS
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
IXFK66N85X |
MOSFET 850V Ultra Junction MOSFET класса X Pwr
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
IXTK82N25P |
MOSFET 82 ампера 250 В 0.035 Rds
|
ИКСИС
|
|
|
|
|
|
ИПД100Н04С4-02 |
MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
FQP6N40C |
MOSFET 400V N-Ch Q-FET продвижение C-серии
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2Н7002БКС,115 |
MOSFET двойной N-канал 60V 300mA
|
Нексперия
|
|
|