logo
Отправить сообщение
Дом > продукты > Дискретные полупроводники
Фильтры
Фильтры

Дискретные полупроводники

Изображениечасть #ОписаниепроизводительЗапасRFQ
IXBH12N300

IXBH12N300

IGBT-транзисторы
ИКСИС
IXYX25N250CV1HV

IXYX25N250CV1HV

IGBT Транзисторы 2500В/95А, HV XPT IGBT Копакированные
ИКСИС
IKW75N65ES5

IKW75N65ES5

IGBT Транзисторы Trenchstop 5 IGBT
Инфинеон Технологии
IXBK55N300

IXBK55N300

IGBT-транзисторы
ИКСИС
IKW40N120T2

IKW40N120T2

IGBT транзисторы с низкими потерями DuoPack 1200V 40A
Инфинеон Технологии
ФЗ1600Р17ХП4

ФЗ1600Р17ХП4

Модули IGBT IGBT 1700V 1600A
Инфинеон Технологии
FNA41560B2

FNA41560B2

Модули IGBT Модуль умного питания Мотив-SPM
Fairchild Semiconductor
FF650R17IE4

FF650R17IE4

Модули IGBT N-CH 1,7 КВ 930 А
Инфинеон Технологии
FS450R12KE3

FS450R12KE3

Модули IGBT 1200V 450A 3-фазные
Инфинеон Технологии
ФСАМ30Ш60А

ФСАМ30Ш60А

Модули IGBT 600V/30A/SPM2
Fairchild Semiconductor
IXGH60N60C3D1

IXGH60N60C3D1

Модули IGBT 60 ампер 600 В
ИКСИС
ФП75Р12КТ4

ФП75Р12КТ4

Модули IGBT 1.85V IGBT 4 PIM
Инфинеон Технологии
ФФ1000Р17ИЕ4

ФФ1000Р17ИЕ4

Модули IGBT N-CH 1,7 КВ 1,39 КА
Инфинеон Технологии
FF300R17KE3

FF300R17KE3

Модули IGBT N-CH 1.7KV 404A
Инфинеон Технологии
ФФ900Р12ИЕ4

ФФ900Р12ИЕ4

Модули IGBT IGBT 1200V 900A
Инфинеон Технологии
ФП100Р12КТ4

ФП100Р12КТ4

IGBT-модули
Инфинеон Технологии
ФФ1200Р17КП4_Б2

ФФ1200Р17КП4_Б2

Модули IGBT IGBT 1700V 1200A
Инфинеон Технологии
ФФ600Р17МЕ4

ФФ600Р17МЕ4

Модули IGBT EconoDUAL 3 1700V двойной модуль IGBT с IGBT4, управляемым диодом излучателя и NTC
Инфинеон Технологии
ВУБ145-16НОКТ

ВУБ145-16НОКТ

Модули IGBT 3-фазного выпрямителя моста w/ IGBT
ИКСИС
AUIRGDC0250

AUIRGDC0250

IGBT 1200V 141A 543W TO-220
Инфинеон Технологии
FP30R06W1E3

FP30R06W1E3

Модули IGBT N-CH 600V 37A
Инфинеон Технологии
ФС100Р12КТ4Г

ФС100Р12КТ4Г

Модули IGBT N-CH 1,2 КВ 100 А
Инфинеон Технологии
F3L150R07W2E3_B11

F3L150R07W2E3_B11

Модули IGBT Модули IGBT 650В 150А
Инфинеон Технологии
ФП100Р06КЕ3

ФП100Р06КЕ3

Модули IGBT N-CH 600V 100A
Инфинеон Технологии
ФФ150Р12КС4

ФФ150Р12КС4

Модули IGBT 1200V 150A DUAL
Инфинеон Технологии
ФФ450Р12КТ4

ФФ450Р12КТ4

Модули N-CH 1.2KV 580A IGBT
Инфинеон Технологии
ИКК100Н60Т

ИКК100Н60Т

IGBT 600В TO247-3
Инфинеон Технологии
FNA22512A

FNA22512A

Модули IGBT 1200V 25A Инверторный умный модуль питания
Fairchild Semiconductor
ФФ200Р12КТ4

ФФ200Р12КТ4

Модули IGBT N-CH 1,2 КВ 320 А
Инфинеон Технологии
ФФ600Р12МЕ4

ФФ600Р12МЕ4

Модули IGBT IGBT 1200V 600A
Инфинеон Технологии
2МБИ200У4Х-120

2МБИ200У4Х-120

Модуль IGBT
Фудзи Электрик
2SB1184TLQ

2SB1184TLQ

Биполярные транзисторы - BJT D-PAK;BCE PNP;DRIVER SMT HFE RANK Q
Полупроводники Rohm
НЖВНЖД2873Т4Г

НЖВНЖД2873Т4Г

Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V
ОНСЕМИ
ZXTN649FTA

ZXTN649FTA

Биполярные транзисторы - BJT Zetex Med.
Диоды встроенные
2SA1900T100Q

2SA1900T100Q

Биполярные транзисторы - BJT PNP 50V 1A SO-89
Полупроводники Rohm
ДСА200200Л

ДСА200200Л

Биполярные транзисторы - BJT SM SIG BIPLR TRANS GL WNG 2.9x2.8 мм
Панасоники
DSA7101R0L

DSA7101R0L

Биполярные транзисторы - BJT BIPLR PW TRANS Flat LEAD 4,5x4,0 мм
Панасоники
2SC2412KT146R

2SC2412KT146R

Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V 0,15A
Полупроводники Rohm
2SB1205T-TL-E

2SB1205T-TL-E

Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 5A 20V
ОНСЕМИ
FCX495TA

FCX495TA

Двухполярные транзисторы - сила BJT NPN средняя
Диоды встроенные
2SC5200-O (Q)

2SC5200-O (Q)

Биполярные транзисторы - BJT NPN 230V 15A
Тошиба
BCW66HTA

BCW66HTA

Биполярные транзисторы - BJT NPN с низкой насыщенностью
Диоды встроенные
MMBT3906-7-F

MMBT3906-7-F

Биполярные транзисторы - BJT 40V 300mW
Диоды встроенные
MMBT3904T-7-F

MMBT3904T-7-F

Биполярные транзисторы - BJT 40V 150mW
Диоды встроенные
FZT651TA

FZT651TA

Двухполярные транзисторы - сила BJT NPN средняя
Диоды встроенные
ФЗТ857ТА

ФЗТ857ТА

Биполярные транзисторы - BJT NPN высокое напряжение
Диоды встроенные
ZXTN2010ZTA

ZXTN2010ZTA

Биполярные транзисторы - BJT 60V NPN Med Power
Диоды встроенные
PZT2222AT1G

PZT2222AT1G

Биполярные транзисторы - BJT 600mA 75V NPN
ОНСЕМИ
MJD45H11-1G

MJD45H11-1G

Биполярные транзисторы - BJT 8A 80V 20W PNP
ОНСЕМИ
MMBTA42-7-F

MMBTA42-7-F

Биполярные транзисторы - BJT 300V 300mW
Диоды встроенные
55 56 57 58 59